荒井 和雄/共編 -- オーム社 -- 2003.3 -- 549.8

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
本館(和歌山市) 書庫H /549.8/エス/ 320220841 一般 在庫

資料詳細

タイトル SiC素子の基礎と応用 
著者 荒井 和雄 /共編, 吉田 貞史 /共編  
出版者 オーム社
出版年 2003.3
ページ数 270p
大きさ 22cm
一般件名 半導体
NDC分類(9版) 549.8
内容紹介 注目のSiC素子開発の現状と問題点を明らかにし、それがいかにパワーエレクトロニクスに革新をもたらそうとしているかを詳述。SiCの基礎事項、実証、応用と波及効果および今後の展開などをまとめる。
ISBN 4-274-94885-4
著者紹介 (独)産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター勤務。